的最大电流与其结构的联系，并使用MATLAB/Simulink明晰定论的正确性。

  MCT是一种新式MOS/双极复合器材。它是在一般晶闸管顶用集成电路工艺制造很多的MOS开关，经过MOS开关的通断来操控晶闸管的敞开和关断。所以，MCT既有晶闸管杰出的阻断和通态特性，又具有MOS场效应管输入阻抗高，驱动功率低和开关速度快的长处，一起克服了晶闸管速度慢，不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的缺陷。因为MCT与IGBT在相同的作业频率下，其关断的操控难度要高，制造流程与工艺更杂乱，所以其商业化速度没有IGBT那么快。可是，在牵引和高压DC改换领域中，对大容量，高输入阻抗电力电子器材的迫切需要，鼓励着对MCT的研讨。

  本文介绍了MCT的作业原理，并具体地探讨了MCT关断模型，剖析其模型动态变化时的稳定性，得出可关断的最大电流与其结构的联系，并使用MATLAB仿真，证明推导定论的正确性。

  MCT可分为P型或N型，对称或不对称关断，单端或双端关断FET门极操控和不同的导通挑选（包含光控导通）。所有这些类型都有一个一起特色，即经过关断FET使一个或两个晶闸管的发射极－基极结短路来完结MCT的关断。本文以P型不对称关断MOS门极的MCT为例进行阐明。图1是MCT的断面图和等效电路。该等效电路与一般的晶闸管双晶体管模型根本相同，仅仅加入了导通FET和关断FET。