依据物体导电才能(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体与半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

  硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们别离与周围的四个原子的价电子构成共价键。原子按必定规则规整摆放，构成晶体点阵后，结构图为:

  当T=0K和无外界激起时，导体中没有载流子，不导电。当温度上升或遭到光的照耀时，价电子能量越高，有的价电子能够挣脱原子核的捆绑，而参加导电，成为自由电子，这样的一个进程就叫做本征激起。

  自由电子发生的一起，在其本来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。因热激起而出现的自由电子和空穴是一起成对出现的，称为电子空穴对。

  在一块本征半导体两边经过分散不同的杂质，别离构成N型半导体和P型半导体。

  外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。所以，内电场对多子分散运动的阻止削弱，分散电流加大。分散电流远大于漂移电流，可疏忽漂移电流的影响，PN结出现低阻型。

  外加的反向电压，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。所以，内电场对多子分散运动的阻止增强，分散电流大大减小。此刻漂移电流大于分散电流，可疏忽分散电流，PN结出现高阻型。

  硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡、反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较油滑，反向饱和电流较大。

  若VBR7Vs时，主要是雪崩击穿;若VBR4V时，则主要是齐纳击穿。

  以上便是小编为我们介绍的模仿电路的根底常识了，假如您想深化学习模仿电路的常识的话，请您参阅一下几篇文章