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意法半导体推出新式功率MOSFET和IGBT栅极驱动器?


时间: 2024-10-24 00:53:58

作者: 必发集团welcome

  

意法半导体推出新式功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

  不只在规划上寻求稳健性和可靠性,还致力于供给高度的体系集成性和灵活性,以满意多种使用场景的需求。

  此次推出的驱动器产品系列特色明显,包含集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,这些特性使得它们能惯用各种杂乱的作业环境,无论是工业使用仍是消费电子范畴,都能展现出超卓的功能。

  值得一提的是,STGAP系列阻隔栅极驱动器在安全性操控方面表现尤为杰出。该系列驱动器在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间供给了电气阻隔,这一规划有效地避免了电气毛病的产生,然后保证了体系的安稳运转。此外,其无缝集成和优质功能的特色也使得它在商场上备受喜爱。

  针对SiC MOSFET的安全操控需求,ST还特别推出了STGAP2SICS系列驱动器。这一系列产品通过专门优化,可在高达1200V的高压下作业,为节能型电源体系、驱动器和操控设备供给了抱负的解决方案。无论是在工业电动轿车充电体系,仍是在太阳能、感应加热和轿车OBCDC-DC等范畴,STGAP2SICS系列都能发挥出其杰出的功能,协助用户简化规划、节省空间,并增强体系的稳健性和可靠性。

  业界专家这样以为,意法半导体此次推出的新式功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,不只表现了公司在半导体技术范畴的深沉实力,也展现了其对商场需求的敏锐洞悉。这一些产品的推出,将为功率电子范畴的开展注入新的生机,推进整个职业的前进。

  未来,意法半导体将持续加大在功率电子范畴的研制投入,推出更多立异产品,满意商场一直在改变的需求。一起,公司也将致力于提高产品的功能和质量,为用户更好的供给愈加优质的服务和解决方案。

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